Полупроводниковые приборы. Полупроводники и их свойства. Электропроводность полупроводников. Электронно-дырочный переход. Токи в p-n-переходе. Прямое включение p-n-перехода. Обратное включение р-n-перехода. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Емкости p-n-перехода. Пробой p-n-перехода. Структура диодов. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Фотоэлектрические и излучающие полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства.

Усилители электрических сигналов. Основные определения. Основные показатели усилителей. Обратная связь в усилителях. Динамические характеристики усилительного элемента. Принцип работы усилителя. Режимы работы усилительных каскадов. Питание усилителей. Схемы стабилизации положения рабочей точки. Свойства активных элементов при различных способах включения. Многокаскадные усилители. Импульсные усилители. Усилители постоянного тока. Дифференциальные усилители. Операционные усилители.

Интегральные микросхемы. Общие сведения о микроэлектронике. Пленочные и гибридные интегральные микросхемы. Цифровые интегральные микросхемы. Аналоговые интегральные микросхемы. Базовые матричные кристаллы. Программируемые логические матрицы. Репрограммируемые логические матрицы. Ячейка памяти на основе полевого транзистора с изолированным затвором (флеш память). Полупроводниковые приборы с зарядовой связью (ПЗС).

• Вперёд