При включении транзистора в схему один из его выводов делают общим для входной и выходной цепей, поэтому схемы включения бывают: с общей базой (ОБ) (рис. 1.27, а); с общим эмиттером (ОЭ) (рис. 1.27, б); с общим коллектором (ОК) (рис. 1.27, в). Относительно общего вывода, на котором считают U = 0, измеряют напряжения входной и выходной цепей транзистора. Наибольшее применение имеет схема включения с ОЭ. Схема включения с ОБ имеет ряд недостатков и используется реже. Физические процессы в транзисторе удобнее рассматривать на примере схемы с ОБ.


Рис. 1.27. Схемы включения транзистора с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором

В зависимости от смещения, созданного на эмиттерном и коллекторном p-n-переходах, транзистор может работать в трех режимах. Если один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном, режим называют активным (рис. 1.28, а). Если в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном, такое включение называют нормальным (рис. 1.28, б). Если смещение на p-n-переходах противоположное, включение называют инверсным (рис. 1.28, в). В последнем случае коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора.

Рис. 1.28. Активный, нормальный и инверсный режимы работы транзистора

Активный режим используется в усилительных схемах, в схемах генерирования, где транзистор выполняет функции активного элемента схемы. Если оба p-n-перехода смещены в обратном направлении, транзистор работает в режиме отсечки – режим работы, когда оба перехода биполярного транзистора смещены в обратном направлении (соответствует состоянию “Выключено”). Если оба p-n-перехода смещены в прямом направлении, транзистор работает в режиме насыщения – режим работы, когда оба p-n-перехода биполярного транзистора смещены в прямом направлении (соответствует состоянию “Включено”). Режимы отсечки и насыщения используют в ключевых режимах работы транзистора: режим отсечки соответствует состоянию “отключено”, режим насыщения – “включено”. На рис. 1.27 знаки потенциалов выводов даны для активного режима.