Входные и выходные статические характеристики для схемы с ОБ
Семейство входных статических характеристик представляет собой зависимости 
при 
(рис. 1.31, а). По виду эти характеристики напоминают прямые ветви вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов. При небольших напряжениях ток изменяется по экспоненциальному закону, с ростом напряжения характер зависимостей становится прямолинейным. При 
характеристики совпадают с характеристикой p-n-перехода, включенного в прямом направлении.
Рис. 1.31. Входные и выходные статические характеристики для схемы с ОБ
При увеличении абсолютного значения напряжения на коллекторе кривые незначительно смещаются влево и вверх и располагаются достаточно плотно, так как влияние 
на ток 
мало. Оно проявляется только в том, что при повышении 
увеличивается смещение коллекторного перехода, т.е. уменьшается толщина базы (на рис. 1.31, а расстояние между кривыми для разных значений показано значительно большим, чем реальное).
Уменьшение толщины базы вызывает увеличение градиента концентрации неосновных носителей заряда базы (дырок, инжектированных из эмиттера), поэтому скорость прохождения дырками базы увеличивается, а следовательно, растет и ток эмиттера.
Необходимо обратить внимание на то, что при 
и 
ток эмиттера не равен нулю. В этом случае транзистор работает в режиме отсечки (
) или насыщения (
).
Входное сопротивление транзистора в схеме с ОБ очень мало и составляет единицы или десятки ом, так как небольшое изменение напряжения эмиттера значительно влияет на высоту потенциального барьера эмиттерного перехода, включенного в прямом направлении, и, следовательно, на ток эмиттера.
Семейство выходных статических характеристик представляет собой зависимость 
при 
и показано на рис. 1.31, б.
При увеличении тока эмиттера ток коллектора увеличивается при заданном напряжении на коллекторе. При 
через коллектор проходит обратный ток коллекторного перехода 
, который практически не зависит от напряжения на коллекторе. При напряжении на коллекторе, равном нулю, 
, так как ток эмиттера в этом случае не равен нулю. При прямом напряжении на коллекторном переходе ток с изменением напряжения резко меняется – транзистор работает в режиме насыщения.
Выходное сопротивление в схеме с ОБ очень велико, достигает единиц МОм, так как изменение напряжения на коллекторе почти не влияет на ток коллектора, значение которого определяется током эмиттера и обратным током коллекторного перехода . На значение напряжение коллектора влияния не оказывает.