ГЛОССАРИЙ

№

п/п

Новое понятие

Содержание

1

Активный режим биполярного транзистора

режим биополярного транзистора, при котором один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

2

Акцепторы

примеси, атомы которых способны при возбуждении принять валентные электроны соседних атомов, создав в них дырку

3

Амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) усилителя

зависимость модуля коэффициента усиления К от частоты (или от угловой частоты)

4

База

область, в которую инжектируются носители заряда и где они являются неосновными

5

База биполярного транзистора

средняя область в p-n-p- (или n-p-n-) структуре, характеризуется наименьшей концентрацией примесей, посредством омического контакта соединена с выводом, называемым базой

6

Базовый матричный кристалл (БМК)

матрица нескоммутированных элементов, электрические связи между которыми формируются в соответствии с назначением микросхемы на этапе формирования разводки

7

Барьер Шотки

потенциальный барьер, полученный на контакте металл – полупроводник

8

Барьерная емкость

емкость, обусловленная перераспределением зарядов в переходе

9

Биполярный транзистор

полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими электрическими переходами и тремя (или более) вывода-ми, усилительные свойства которого обусловлены явления-ми инжекции и экстракции неосновных носителей заряда

10

Варикап

полупроводниковый диод, в котором использовано свойство р-n-перехода изменять барьерную емкость при изменении обратного напряжения

11

Вольт-амперная характеристика р-n-перехода

зависимость тока через р-n-переход от приложенного к нему напряжения

12

Время восстановления обратного сопротивления диода

время, в течение которого обратный ток изменяется от максимального значения до установившегося

13

Время жизни носителей заряда

среднее время существования пары носителей заряда

14

Высота потенциального барьера в полупроводнике

высота потенциального барьера, возникающего в р-n-переходе и равная контактной разности потенциалов

15

Генерация пары носителей заряда

процесс образования пары “электрон проводимости – дырка проводимости”

16

Гибридные ИМС

микросхемы, представляющие собой комбинацию пленоч-ных микросхем, навесных дискретных (активных) компо-нентов и полупроводниковых ИМС, которые обычно распо-лагают на диэлектрической подложке пленочной ИМС

17

Динамический диапазон усилителя

диапазон напряжений сигнала, который данный усилитель может усилить без внесения помех и искажений сверх нормы, и равен отношению максимального напряжения входного сигнала к его минимальному напряжению

18

Диффузионная емкость

емкость, связанная с изменением инжектированных носи-телей при изменении напряжения:

19

Диффузионный ток

перемещение основных носителей заряда через р-n-переход в смежные области происходит за счет диффузии против поля р-n-перехода

20

Дрейф усилителя

отклонение напряжения на выходе усилителя от начального (нулевого) значения в отсутствие сигнала

21

Дрейфовый ток

перемещение неосновных носителей в направлении поля
р-n-перехода

22

Дырка

свободное место в связях на месте электрона

23

Затвор транзистора

общий электрод от контактов областей

24

Зона проводимости

свободная зона, в которой при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой температуре они могут в ней находиться

25

Инверсный режим биполярного транзистора

смещение на p-n-переходах противоположное: коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

26

Инжекция

при прямом смещении перемещение основных носителей заряда через потенциальный барьер в смежную область, где они являются неосновными

27

Интегральная микросхема

микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала (или накоп-ления информации) и имеющее высокую плотность упа-ковки электрически соединенных элементов (или элемен-тов компонентов) и (или) кристаллов, которое с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставки и эксплуатации рассматривается как единое целое

28

Исток транзистора

контакт, через который носители заряда входят в канал

29

Канал транзистора

часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами, является активной частью транзистора

30

Каскады предварительного усиления

каскады служащие для усиления тока, напряжения или мощности сигнала до значения, необходимого для подачи на вход мощного усилителя

31

Коллектор биполярного транзистора

крайняя область в p-n-p- (или n-p-n-) структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции (втягивания) носителей из области базы; посредством омического контакта соединена с выводом, называемым коллектор

32

Лавинный пробой

пробой при котором в полупроводниках с широким р-n-перехо-дом в сильном электрическом поле возникает ударная иониза-ция атомов р-n-перехода, процесс нарастает лавинообразно, что приводит к значительному возрастанию обратного тока

33

Малосигнальные параметры транзистора

параметры транзистора, используемого в усилительных устройствах для малых переменных токов

34

Многокаскадные усилители

усилители, образованные путем соединения между собой с помощью элементов связи нескольких усилительных каскадов

35

Нормальный режим биполярного транзистора

режим биополярного транзистора, при котором в прямом на-правлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

36

Обратная связь в усилителях

передача части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную

37

Обратная связь по напряжению

цепь ОС, соединенная с выходом схемы параллельно нагрузке так, что напряжение ОС пропорционально напряжению на нагрузке усилителя

38

Обратная связь по току

цепь ОС, соединенная с выходом схемы последовательно с нагрузкой так, что напряжение ОС пропорционально току в нагрузке

39

Оптоэлектроника

область электроники, охватывающая вопросы теории и практического применения методов преобразования оптических (световых) сигналов в электрические и наоборот в системах передачи, обработки и хранения информации

40

Оптрон

оптоэлектронный прибор имеющий две пары зажимов: входные соединеных с фотоизлу-чающим прибором – светодиодом, выходные – с фото-приемником (например с фотодиодом), при этом входная и выходная цепи гальванически не связаны между собой

41

Пленочные ИМС

изолирующая подложка (основание), на поверхности которой все элементы и межсоединения сформированы в виде послойно нанесенных пленок

42

Полевой транзистор

полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем

43

Полупроводник n-типа

приместный полупроводник электропроводность в кото-ром обусловлена в основном электронами

44

Полупроводники p- типа

примесный полупроводник электропроводность в котором обусловлена в основном дырками

45

Полупроводниковая ИМС

полупроводник, в поверхностном слое и объеме которого сформированы области, эквивалентные элементам электрической схемы, изоляции и межсоединения

46

Полупроводниковый диод

полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами, к которым присоединяются два вывода

47

Примесная электропроводность

электропроводимость полупроводника при внесении в него примеси

48

Программируемая логическая матрица (ПЛМ)

матрица логических элементов, электрические связи между которыми определяются путем программирования

49

Прямое включение p-n-перехода

электрическое поле источника напряжения направлено навстречу контактному полю

50

Режим А работы усилительного каскада

начальная рабочая точка А находящаяся примерно в середи-не линейной части проходной характеристики, а амплитуда сигнала такова, что ток в выходной цепи протекает в течение всего периода сигнала, и угол отсечки равен 180°

51

Режим В работы усилительного каскада

начальная рабочая точка А лежащая в начале проходной характеристики, а ток коллектора проходит через активный элемент лишь в течение отрицательного (для транзистора типа р-n-р) полупериода входного напряжения, во время же другого полупериода тока нет, т.е. активный элемент “заперт”

52

Режим насыщения

режим работы, когда оба p-n-перехода биполярного транзистора смещены в прямом направлении

53

Режим отсечки транзистора

режим работы, когда оба перехода биполярного транзис-тора смещены в обратном направлении

54

Рекомбинация

процесс воссоединения электрона и дырки

55

Светодиоды

излучающие полупроводниковые приборы с одним p-n-переходом, преобразующие электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

56

Свободные зоны

разрешенные зоны, в которых электроны отсутствуют

57

Скомпенсированный полупроводник

полупроводник, у которого концентрации доноров и акцепторов равны

58

Собственная электропроводность

электропроводность собственного полупроводника, возникающая за счет нарушения ковалентных связей

59

Собственные шумы усилителя

сигналы на выходе усилителя, существующие и при отсутствии усиливаемых сигналов на его входе

60

Стабилитрон

полупроводниковый диод, работающий в режиме электри-ческого пробоя, принцип работы которого основан на том, что при обратном напряжении на p-n-переходе в области электрического пробоя напряжение на нем практически не изменяется при значительном изменении тока

61

Статические характеристики биполярного транзистора

характеристики, описывающие взаимосвязь между вход-ными и выходными токами и напряжениями транзистора, когда в цепи коллектора нет нагрузки

62

Сток транзистора

контакт, через который носители заряда вытекают из канала

63

Тепловой пробой p-n-перехода

пробой p-n-перехода, сопровождаемый разрушением крис-таллической структуры полупроводника, и возникает, когда мощность, выделяемая в p-n-переходе при протекании через него обратного тока, превышает мощность, которую способен рассеять p-n-переход

64

Тепловой ток

ток, образованный неосновными носителями заряда и зави-сящий от скорости тепловой генерации носителей заряда

65

Тиристоры

полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режи-мами работы (включен, выключен), имеющие три или более p-n-переходов

66

Туннельный пробой

пробой, который возникает в полупроводниках с узким р-n-переходом и свя-зан с туннельным эффектом, когда под воздействием очень сильного поля носители заряда могут переходить из одной области в другую без затраты энергии

67

Уровень Ферми

энергия, соответствующая энергетическому уровню, вероятность заполнения которого при 0 К равна 1/2

68

Усилители

устройства, с помощью которых путем затраты небольшо-го количества электрической энергии управляют энергией существенно большей

69

Усилители постоянного тока

приборы, которые могут усиливать медленно изменяющиеся электрические сигналы, т.е. они способны усиливать не только переменные, но и постоянные составляющие напряжения и тока

70

Усилитель мощности

усилитель предназначенный для отдачи в нагрузку сигнала требуемой мощности и может состоять из нескольких каскадов

71

Фазочастотная характеристика (ФЧХ) усилителя

зависимости угла сдвига фазы (между выходным и входным напряжениями усилителя от частоты)

72

Фотодиоды

полупроводниковые фотоэлектрические приборы с одним p-n-переходом и двумя контактами, принцип действия которых основан на использовании внутреннего фотоэффекта

73

Фоторезисторы

полупроводниковые приборы, которые имеют два контакта и электрическое сопротивление которых изменяется в зависимости от интенсивности и спектрального состава падающего излучения

74

Фототранзистор

полупроводниковый фотоэлектрический прибор с двумя p-n-переходами

75

Фотоэлектрические приборы

приборы, в которых лучистая энергия преобразуется в электрическую

76

Цепи высокочастотной коррекции

цепи, изменяющие частотную характеристику на верхних частотах и переходную характеристику в области малых времен

77

Цепи низкочастотной коррекции

цепи, изменяющие частотную характеристику в области нижних частот и переходную характеристику в области больших времен

78

Экстракции

процесс выведения неосновных носителей заряда через пере-ход под воздействием поля этого перехода при подключении р-n-перехода к источнику внешнего напряжения

79

Электрический пробой

пробой, который связан со значительным увеличением напряженности электрического поля в р-n-переходе (более 105 В/см)

80

Электронно-дырочный переход

область внутри монокристалла полупроводника на границе раздела его двух сред с разным типом примесной электропроводности

81

Эмиттер

область, из которой инжектируются носители заряда

82

Эмиттер биполярного транзистора

крайняя область в p-n-p (или n-p-n) структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции (впрыскивания) носителей в область базы, посредством омического контакта соединена с выводом, называемым эмиттер

83

Энергия ионизации

расстояние от потолка валентной зоны до акцепторного уровня