Постоянные запоминающие устройства
Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) – ЗУ, предназначенное для хранения неизменяемой информации (программ, констант, табличных функций). В процессе решения задач ПЗУ допускает только чтение информации. В качестве характерного примера применения ПЗУ можно указать БИС ПЗУ, используемые в РС для хранения BIOS (Basic Input Output System – базовой системы ввода-вывода).
В общем случае накопитель ПЗУ (массив его запоминающих ячеек) емкостью ЕПЗУ слов, длиною в r + 1 разрядов каждое, обычно представляет собой систему из ЕПЗУ горизонтальных (адресных) и r + 1 вертикальных (разрядных) проводников, которые в точках пересечения могут быть соединены элементами связи (рис. 1.46). Элементы связи (ЭС) – это плавкие вставки или p-n-переходы. Наличие элемента связи между j-м горизонтальным и i-м вертикальным проводниками означает, что в i-м разряде ячейки памяти номер j записана единица, отсутствие ЭС означает, что здесь записан нуль. Запись слова в ячейку номер j ПЗУ производится должной расстановкой элементов связи между разрядными проводниками и адресным проводом номер j. Чтение слова из ячейки номер j ПЗУ происходит так.
Рис. 1.46. Накопитель ПЗУ емкостью ЕПЗУ слов, длиною в r + 1 разрядов каждое
Код адреса A = j дешифрируется, и на горизонтальный проводник номер j накопителя подается напряжение от источника питания. Те из разрядных проводников, которые соединены с выбранным адресным проводником элементами связи, оказываются под напряжением U1 уровня единицы, остальные разрядные проводники остаются под напряжением U0 уровня нуля. Совокупность сигналов U0 и U1 на разрядных проводниках и образует содержимое ЯП номер j, а именно слово по адресу А.
В настоящее время ПЗУ строят из БИС ПЗУ, у которых используются полупроводниковые ЭС. БИС ПЗУ принято делить на три класса:
– масочные (МПЗУ);
– программируемые (ППЗУ);
– репрограммируемые (РПЗУ).
Масочные ПЗУ (ROM – от Read Only Memory) – ПЗУ, информация в которые записывается с фотошаблона в процессе выращивания кристалла. Например, БИС ПЗУ 555РЕ4 емкостью 2 кбайта представляет собою генератор символов по коду КОИ-8. Достоинством масочных ПЗУ является их высокая надежность, а недостатком – низкая технологичность.
Программируемые ПЗУ (PROM – Programmable ROM) – ПЗУ, информация в которые записывается пользователем при помощи специальных устройств – программаторов. Данные БИС изготавливаются с полным набором ЭС во всех точках пересечения адресных и разрядных проводников. Это повышает технологичность таких БИС, а значит, и массовость в производстве и применении. Запись (программирование) информации в ППЗУ производится пользователем по месту их применения. Делается это путем выжигания элементов связи в тех точках, в которых должны быть записаны нули. Укажем, например, на ТТЛШ-БИС ППЗУ 556РТ5 емкостью 0,5 кбайт. Надежность БИС ППЗУ ниже, чем у масочных БИС. Перед программированием их необходимо тестировать на наличие ЭС.
В МПЗУ и ППЗУ невозможно изменять содержимое их ЯП. Репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ) допускают многократную смену хранимой в них информации. Фактически РПЗУ – это ОЗУ, у которых tЗП>>tЧТ. Замена содержимого РПЗУ начинается со стирания хранившейся в нем информации. Выпускаются РПЗУ с электрическим (EЕPROM) и ультрафиолетовым (UVEPROM) стиранием информации. Например, БИС РПЗУ с электрическим стиранием КМ1609РР2А емкостью 8 кбайт может перепрограммироваться не менее 104 раз, хранит информацию не менее 15000 ч (около двух лет) во включенном состоянии и не менее 10 лет – в выключенном. БИС РПЗУ с ультрафиолетовым стиранием К573РФ4А емкостью 8 кбайт допускает не менее 25 циклов перезаписи, хранит информацию во включенном состоянии не менее 25000 ч, а в выключенном – не менее 100000 ч.
Основное назначение РПЗУ – использование их вместо ПЗУ в системах разработки и отладки программного обеспечения, микропроцессорных системах и других, когда приходится время от времени вносить изменения в программы.
Работу ПЗУ можно рассматривать как однозначное преобразование N-разрядного кода адреса А в n-разрядный код считываемого из него слова, т.е. ПЗУ является преобразователем кода (цифровым автоматом без памяти).
На рис. 1.47 показано условное изображение ПЗУ на схемах.
Рис. 1.47. Условное изображении ПЗУ
Функциональная схема ПЗУ приведена на рис. 1.48.
Рис. 1.48. Функциональная схема ПЗУ
По принятой в среде специалистов по запоминающим устройствам терминологии входной код называется адресом, 2n вертикальных шин – числовыми линейками, m выходов – разрядами храни-мого слова. При поступлении на вход ПЗУ любого двоичного кода всегда выбирается одна из числовых линеек. При этом на выходе тех элементов ИЛИ, связь которых с данной числовой линейкой не разрушена, появляется 1. Это значит, что в данном разряде выбранного слова (или числовой линейки) записана 1. На выходах тех разрядов, связь которых с выбранной числовой линейкой выжжена, останутся нули. Закон программирования может быть и инверсным.
Таким образом, ПЗУ – это функциональный узел с n входами и m выходами, хранящий 2n m-разрядных слов, которые при работе цифрового устройства не изменяются. При подаче на вход ПЗУ адреса на выходе появляется соответствующее ему слово. При логическом проектировании постоянное ЗУ рассматривают или как память с фиксированным набором слов, или как кодовый преобразователь.
На схемах (см. рис. 1.47) ПЗУ обозначается как ROM. Постоянные запоминающие устройства обычно имеют вход разрешения Е. При активном уровне на входе Е ПЗУ выполняет свои функции. При отсутствии разрешения выходы микросхемы неактивны. Разрешающих входов может быть несколько, тогда микросхема отпирается по совпадению сигналов на этих входах. В ПЗУ сигнал Е часто называют чтением ЧТ (read), выбором микросхемы ВМ, выбором кристалла ВК (chip select – CS).
Микросхемы ПЗУ приспособлены для наращивания. Чтобы увеличить число разрядов хранимых слов, все входы микросхем включают параллельно (рис. 1.49, а), а с увеличившегося суммарного числа выходов снимается выходное слово соответственно увеличенной разрядности.
Для увеличения числа самих хранимых слов (рис. 1.49, б) адресные входы микросхем включают параллельно и рассматривают как младшие разряды нового, расширенного адреса. Добавленные старшие разряды нового адреса поступают на декодер, который по входам Е выбирает одну из микросхем. При малом числе микросхем дешифрацию старших разрядов можно делать на конъюнкции разрешающих входов самих ПЗУ. Выходы одноименных разрядов при увеличении числа хранимых слов должны объединяться с помощью функций ИЛИ. Специальных элементов ИЛИ не требуется, если выходы микросхем ПЗУ выполнены или по схеме открытого коллектора для объединения методом монтажного ИЛИ, или по схеме буфера с тремя состояниями, допускающего непосредственное физическое объединение выходов.
Выходы микросхем ПЗУ обычно инверсные, инверсным часто бывает и вход Е. Наращивание ПЗУ может потребовать введения буферных усилителей для увеличения нагрузочной способности некоторых источников сигналов, учета вносимых этими усилителями дополнительных задержек, но в общем при сравнительно небольших объемах памяти, что типично для многих ЦУ (например устройств автоматики), наращивание ПЗУ обычно не порождает принципиальных проблем.
Рис. 1.49. Увеличение числа разрядов хранимых слов при параллельном включении входов микросхем и увеличении числа хранимых слов при включении параллельно адресных входов микросхем